FDC855N केवल 1 स्रोत के लिए एक 6-पिन पैकेज, जिनमें से 4 नाली से जुड़े हैं में आता है, और। यह अंतर क्यों? स्रोत नाली के समान वर्तमान को देखता है, है ना?
MOSFET की नाली के लिए इतने सारे पिन क्यों?
जवाबों:
यह उच्च धारा के लिए नहीं है, यह गर्मी प्रबंधन के लिए है।
एकल स्रोत पिन वर्तमान को संभाल सकता है, और इसलिए एक एकल नाली पिन होगा। योजनाबद्ध रूप से एक MOSFET को अक्सर सममित रूप से खींचा जाता है, क्योंकि इस तरह से चैनल की चालकता में विषमता दिखाना आसान होता है।
लेकिन असतत MOSFETs उस तरह से निर्माण नहीं कर रहे हैं। इस तरह से अधिक:
यह संभवत: उल्टा पैक किया जाएगा, जिसमें लीड फ्रेम से जुड़े नाली के थोक होते हैं जो सीधे 4 पिन से जुड़ते हैं। गेट और सोर्स उनके पिन से बंध जाएंगे।
मोसफेट का थोक सबसे अधिक गर्मी को नष्ट कर देगा, और क्योंकि पिन के साथ इसका सीधा संपर्क गर्मी को पिंस के माध्यम से निकाला जा सकता है, यह कम थर्मल प्रतिरोध के साथ एक रास्ता है। उचित विद्युत कनेक्शन के लिए नाली अभी भी तार बंधी हुई हो सकती है। लेकिन संबंध तार गर्मी के बहुत कम गुजरेंगे। चालन
में थर्मल प्रतिरोध (पीसीबी के तांबे के लिए) संवहन की तुलना में बहुत कम है (जिस तरह से पैकेज के ऊपर हवा के साथ गर्मी का आदान-प्रदान होता है)। मुझे लक्सॉन पावर एलईडी के लिए निम्नलिखित सुझाए गए पैड लेआउट मिले। वे दावा करते हैं कि यह आसानी से 7K / W हासिल कर सकता है।
एसएमटी पावर MOSFETs में, जो काफी गर्मी को फैलाना होगा, यह एक बड़े तांबे के विमान पर नाली पिन लगाने की सलाह दी जाती है, या Luxeon LED की तरह (भरी) vias की एक श्रृंखला के माध्यम से गर्मी को फैलने की अनुमति देता है।
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7K / डब्ल्यू? क्या 7k C / W कहने का एक तरीका यह है कि लोगों को भ्रमित करने के अतिरिक्त बोनस के साथ 7kW का मतलब है?
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कॉनर वुल्फ
@ फ़ेकनाम, यदि आप पांडित्यपूर्ण होने जा रहे हैं, तो यह 7 डिग्री-सी प्रति वाट नहीं होना चाहिए, यह 7 सेंटीग्रेड डिग्री प्रति वाट होना चाहिए।
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फोटॉन
@ फ़ेक - "केल्विन प्रति वाट" थर्मल प्रतिरोध को व्यक्त करने का मानक तरीका है । हां, क्योंकि तापमान सापेक्ष है आप ° C / W का उपयोग भी कर सकते हैं, क्योंकि 1K परिवर्तन 1 ° C परिवर्तन के समान है। यदि वे इसे kW के रूप में पढ़ते हैं तो उन्हें कुछ और करना चाहिए। यह एक राजधानी "K" है, केल्विन और वाट के बीच एक "/" है, और kW यहाँ कोई मतलब नहीं है।
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स्टीवन्वह
यह शीतलन उद्देश्यों के लिए होगा - आप पृष्ठ 2 के तल पर ध्यान देंगे वे एक बड़ा बिंदु बनाते हैं कि जिस तरह से पिन जुड़े हुए हैं वे थर्मल विशेषताओं को बदल देंगे। अधिकांश गर्मी पिंस से होकर गुजरती है न कि हवा से पैकेज से।
यह काफी सामान्य है - IRFD9024 में नाली के लिए दो पिन हैं और स्पष्ट रूप से उल्लेख किया गया है "दोहरी नाली 1 डब्ल्यू तक बिजली अपव्यय स्तर के लिए बढ़ते सतह के लिए एक थर्मल लिंक के रूप में कार्य करता है"
यह विशेष रूप से HEXFET और पॉवरट्रेन पावर MOSFETs के साथ आम है क्योंकि नाली सब्सट्रेट के थोक से जुड़ा है, और स्रोत शीर्ष पर एक धातु की परत है। नाली सब्सट्रेट को अधिक बारीकी से थर्मामीटर से जोड़ा जाता है, इसलिए गर्मी को हटाने के लिए बेहतर है।
अधिकांश बिजली MOSFET को प्लानर या पार्श्व MOS की तुलना में कहीं-कहीं ऊर्ध्वाधर-प्रसार MOS के रूप में वर्गीकृत किया जाता है। यह बड़े पैमाने पर है क्योंकि वर्तमान ले जाने की क्षमता को अधिकतम करने के लिए, आपको एक बहुत लंबे लेकिन संकीर्ण चैनल की आवश्यकता होती है, जो कि पाठ्यपुस्तक सममित MOSFET का उपयोग करना कठिन है। इसका अपवाद ऑडियो एम्पलीफायरों के लिए डिज़ाइन की गई MOSFETs शक्ति होगी - ये पार्श्विक MOS हैं और आप आमतौर पर पाएंगे कि वे पारंपरिक रूप से गर्म परिणाम हैं।
