मान लें कि हम एक ड्राम देख रहे हैं जिसमें विशिष्ट समय पैरामीटर (ब्याज के नीचे सूचीबद्ध हैं) ~ 20-50 नैनोसेकंड के अक्षांशों को पढ़ने और लिखने के साथ हैं। समय के मापदंडों को बदलने के बारे में कोई कैसे पढ़ेगा और DRAM की विलंबता को बढ़ाने के लिए लिखेगा? विशेष रूप से, मान लें कि हम ~ 1 माइक्रोसेकंड के अक्षांशों को पढ़ना और लिखना चाहते थे। जिन मापदंडों के साथ मुझे काम करना है, वे निम्नलिखित हैं (यदि अन्य महत्वपूर्ण हैं और सूचीबद्ध नहीं हैं, तो कृपया उनका उल्लेख करें; इनमें से कोई भी जो महत्वहीन है या जिसका कोई मतलब नहीं है उसे नजरअंदाज किया जा सकता है):
* tCCD = CAS to CAS command delay (always = half of burst length)
* tRRD = Row active to row active delay
* tRCD = RAW to CAS delay
* tRAS = Row active time
* tRP = Row precharge time
* tRC = Row cycle time
* CL = CAS latency
* WL = Write latency
* tWTR = Write to read delay
कारण मैं पूछ रहा हूं कि मैं विभिन्न मेमोरी एक्सेस पैटर्न के लिए कार्यक्रम प्रदर्शन पर अलग-अलग मेमोरी एक्सेस अक्षांशों के प्रभाव की जांच करने के लिए एक छोटा सिमुलेशन करना चाहता हूं। मेमोरी हार्डवेयर का मेरा ज्ञान सीमित रूप से सीमित है; ऊपर दिए गए पैरामीटर, मैं सोच रहा हूं कि एक एकल एक्सेस के लिए मेमोरी लेटेंसी tRAS + CL जैसी कुछ होगी जिसमें एक पंक्ति / कॉलम, प्लस WL का चयन किया जाएगा? मैं वास्तव में माफी माँगता हूँ अगर ये सामान्य समय पैरामीटर नहीं हैं। अग्रिम में धन्यवाद!
संपादित करें:
यह सोचने के लिए आओ, अगर मेरे पास टाइमिंग पैरामीटर p1, P2, ..., pN का एक सेट है, तो पता है कि पढ़ने / लिखने की विलंबता एक्स के साथ, क्या मैं पैरामीटर p1 ', P2', ... का एक नया सेट प्राप्त कर सकता हूं। pN 'वांछित पढ़ने / लिखने के लिए Y> X से p1' = (Y / X) p1, P2 '= (Y / X) P2, ..., pN' = (Y / X) pN लेकर? ऐसा लगता है जैसे मुझे पढ़ना चाहिए, क्योंकि यदि पढ़ने / लिखने में विलंबता अंतर्निहित DRAM समय मापदंडों के कुछ रैखिक संयोजन हैं, तो मुझे बस मापदंडों को मापना चाहिए और व्युत्पन्न मात्रा में एक समान स्केलिंग प्राप्त करना चाहिए ... सही?