डार्लिंगटन ट्रांजिस्टर के भीतर प्रतिरोधक


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मैं अपने सर्किट (PWM LED डिमर) में से एक में TIP102 के साथ 2N3904 और TIP31C को बदलने पर विचार कर रहा हूं, और TIP102 योजनाबद्ध प्रतिरोधों में देखा गया है जो प्रत्येक आधार से उत्सर्जक तक जाता है। मेरे वर्तमान सर्किट में ये नहीं हैं, और मैं सोच रहा था कि वे किस उद्देश्य की सेवा करते हैं और यदि मेरे सर्किट की परवाह किए बिना होना चाहिए

TIP102 योजनाबद्ध


एनपीएन ट्रांजिस्टर के आधार को नीचे खींचने के लिए कौन सा कॉन्फ़िगरेशन का संभव डुप्लिकेट बेहतर है? जबकि सवाल यह है कि पुल डाउन का कौन सा संस्करण बेहतर है, उत्तर बहुत विस्तृत हैं कि पुलडाउन क्या करते हैं और आपको उन्हें क्यों करना चाहिए या नहीं करना चाहिए।
राहगीर

मैं इस प्रश्न के लिए करीबी वोटों से सहमत नहीं हूं। जबकि BJT के BE के प्रतिरोधों पर चर्चा की गई है ( Electronics.stackexchange.com/questions/56010/… , Electronics.stackexchange.com/questions/30017/… ) एक प्रिय डार्लिंग के निचले BE में आंतरिक अवरोधक विशेष है, क्योंकि यह सुलभ नहीं है। बाहर से, इसलिए यह या तो पहले से ही मर चुका है या इसे कभी जोड़ा नहीं जा सकता है।
zebonaut

@ ज़ेबोनौट जो कोई व्यावहारिक अंतर नहीं करता है, जब अंत सवाल यह है कि अगर ओपी की असतत, गैर-पैक डार्लिंगटन जोड़ी को रोकने वाला होना चाहिए।
राहगीर

हालांकि आपका प्रश्न मुख्य रूप से डार्लिंगटन जोड़े में इन प्रतिरोधों के बारे में प्रतीत होता है, आपके द्वारा उल्लिखित आवेदन के लिए आप इसके बजाय एक MOSFET का उपयोग करने पर विचार कर सकते हैं, जो संभवतः सस्ता और अधिक कुशल होगा।
फिल फ्रॉस्ट

@PhilFrost: Rev B. के लिए एक और अच्छा विचार है। जैसा कि मैंने किया है, मैंने सर्किट को असेंबल करना समाप्त कर दिया है और यह पूरी तरह से काम करता है।
इग्नासियो वाज़केज़-अब्राम्स

जवाबों:


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उन प्रतिरोधों को गति को बंद करना है। बेस-एमिटर जंक्शन में कुछ समाई होती है, जिसे मिलर प्रभाव द्वारा एक इनवर्टर एम्पलीफायर कॉन्फ़िगरेशन में स्पष्ट रूप से बड़ा किया जाता है । ट्रांजिस्टर को बंद करने के लिए, इस समाई को छुट्टी देनी चाहिए।

जब बेस ड्राइव को हटा दिया जाता है, तो सही ट्रांजिस्टर के इस समाई को डिस्चार्ज करने का कोई रास्ता नहीं होता है, क्योंकि लेफ्ट ट्रांजिस्टर का उल्टा-बायस्ड बेस-एमिटर इसे रोकता है। ये प्रतिरोधक इस निर्वहन वर्तमान के लिए एक मार्ग प्रदान करते हैं।

यदि आप एक असतत डार्लिंगटन जोड़ी बना रहे हैं, जिसमें कम से कम आर 2 एक बुरा विचार नहीं है। यदि आपको बहुत तेज़ होने के लिए स्विचिंग की आवश्यकता नहीं है, तो आप इसके बिना बहुत तेज़ी से ट्रांजिस्टर स्विच पा सकते हैं, लेकिन मैं आर 2 शामिल करूंगा जब तक कि मैं लागत से हर पैसा दाढ़ी बनाने की कोशिश नहीं कर रहा था।

इन प्रतिरोधों को क्या होना चाहिए, इसकी गणना के लिए कोई कठिन और तेज़ नियम नहीं हैं, लेकिन आपके द्वारा प्रदान किया गया उदाहरण कुछ विशिष्ट मूल्य देता है। यदि आप उन्हें छोटा करते हैं, तो टर्न-ऑफ तेज हो जाएगा। यदि आप उन्हें बहुत छोटा करते हैं, तो सभी इनपुट करंट प्रतिरोधों के माध्यम से जाएंगे, ट्रांजिस्टर को चलाने के लिए कोई भी नहीं छोड़ेंगे।

आर 2 के पार का वोल्टेज आगे के पक्षपाती बेस-एमिटर जंक्शन द्वारा 0.65V तक सीमित है, इसलिए वर्तमान होगा:

मैंआर2=0.65वीआर2

और आप कुछ विचार प्राप्त कर सकते हैं (सिर्फ एक विचार के लिए, एक सटीक मॉडल के लिए मैं अनुकरण या निर्माण और माप कर सकता हूं) आर 2 और सही ट्रांजिस्टर के इनपुट समाई द्वारा गठित समय की गणना करके कितनी तेजी से प्रभावित होता है :

τ=आर2सी

आर 1 के लिए गणना काफी हद तक समान हैं। हालांकि, यह दो कारणों से बड़ा होना चाहिए। सबसे पहले, बाएं ट्रांजिस्टर को बंद करने के लिए उतनी मदद की आवश्यकता नहीं है, क्योंकि इसके आधार समाई को ट्रांजिस्टर को चलाने से जो कुछ भी हो सकता है, उसका निर्वहन किया जा सकता है; सही ट्रांजिस्टर के साथ रास्ते में कोई डायोड नहीं है।

दूसरे, आर 1 छोटे शंटों को बाएं ट्रांजिस्टर के आधार से अधिक वर्तमान बना देता है, जहां यह दोनों ट्रांजिस्टर द्वारा गुणा किया जाएगा। इस प्रकार, कम हो रही आर 1, लाभ कम हो जाती है क्योंकि इनपुट वर्तमान के और अधिक बस से गुणा किया जाता के बजाय बीटा बीटाβββ


बिट के लिए खुदाई करते हुए, आर 2 की गणना के लिए यह पाया गया । R1 के लिए अभी तक कुछ भी नहीं है।
इग्नासियो वाज़केज़-अब्राम्स

@ इग्नासियोवेज़क्वेज़-एबर्स संपादन देखते हैं।
फिल फ्रॉस्ट

मैंने R2 के लिए 100 ओम अवरोधक लगा दिया, और मुझे खुशी है कि मैंने किया क्यूंकि बस Q1 के आधार को छूने के लिए Q2 का संचालन करने के लिए पर्याप्त है (ऐसा नहीं है कि यह कभी भी उस बाड़े में छू जाएगा)।
इग्नासियो वाज़क्वेज़-अब्राम्स

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प्रतिरोधों के विभिन्न कारण हैं। पहले से ही उल्लेख किए गए दो टर्न-ऑफ को गति देने के लिए हैं और यह सुनिश्चित करने के लिए कि डिवाइस संचालित नहीं होने पर बंद रहता है।

एक अन्य कारण आंतरिक रिसाव को दूर करना है। आम तौर पर एक एकल ट्रांजिस्टर के रिसाव को अनदेखा करना काफी कम है। हालांकि, पहले ट्रांजिस्टर के रिसाव को दूसरे के लाभ से गुणा किया जाता है, जो इसे कुछ अनुप्रयोगों में महत्वपूर्ण बना सकता है, खासकर उच्च तापमान पर जहां रिसाव अधिक होता है। दूसरे ट्रांजिस्टर के चारों ओर अवरोध करनेवाला पहले ट्रांजिस्टर का कारण बनता है कि दूसरा चालू होने से पहले कुछ न्यूनतम वर्तमान का उत्पादन करेगा। यह पहले ट्रांजिस्टर की सबसे खराब स्थिति रिसाव से अधिक के लिए समायोजित किया जा सकता है।

यह भी ध्यान दें कि कम आउटपुट धाराओं के लिए, दूसरा ट्रांजिस्टर चालू अवरोधक के माध्यम से बस चालू हो सकता है। इस मामले में, शुद्ध वोल्टेज के लिए बीई वोल्टेज और समग्र डिवाइस के सीई वोल्टेज कम होंगे।


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उन प्रतिरोधों के लिए दो उद्देश्य हैं। जैसा कि फिल ने उल्लेख किया है, एक ट्रांजिस्टर के तेजी से बंद होने में सहायता करना है।

अन्य दो हैं जो सुनिश्चित करते हैं कि पिन स्थिति को आधार नहीं बनाया जा रहा है। यह एक तैरती हुई अवस्था को दूर करता है। जैसे अगर एक माइक्रोकंट्रोलर पिन एक उच्च-प्रतिबाधा मोड में है।

एनपीएन ट्रांजिस्टर के आधार को नीचे खींचने के लिए कौन सा कॉन्फ़िगरेशन बेहतर है? एक है बहुत एक ट्रांजिस्टर आधार पर पुल-डाउन प्रतिरोधों के उपयोग पर लंबे समय से चर्चा।

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