MOSFET एक वोल्टेज नियंत्रित अवरोधक के रूप में


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यह प्रश्न बहुत अधिक स्थानीय हो सकता है, लेकिन मैं कोशिश करता हूं।

निम्नलिखित योजनाबद्ध में दिखाए गए शर्तों के तहत MOSFET द्वारा एक चर रोकनेवाला को बदलना संभव है?

यदि हाँ, तो क्या कोई MOSFET प्रकार या आवश्यक MOSFET मापदंडों का प्रस्ताव कर सकता है।

ढांच के रूप में

इस सर्किट का अनुकरण करें - सर्किटलैब का उपयोग करके बनाई गई योजनाबद्ध

अपडेट करें

जो मैं वास्तव में पूरा करने की कोशिश कर रहा हूं, वह R2A को कुछ सरल से बदलना है जिसे मैं एक माइक्रोकंट्रोलर (डीएसी) के साथ नियंत्रित कर सकता हूं।

मैं एक मौजूदा डिवाइस को हैक कर रहा हूं और प्रतिरोधक R1 को प्रतिस्थापित नहीं कर सकता।


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आप किसी समाधान को निर्धारित करते हैं। क्या आउटपुट को विशिष्ट वोल्टेज श्रेणी (0.12 से 4.00 V) माना जाता है या क्या यह (नाममात्र 12 V) आपूर्ति वोल्टेज के आनुपातिक माना जाता है? दूसरे शब्दों में, क्या यह वास्तव में दिखाए गए वोल्टेज डिवाइडर के रूप में लागू करने की आवश्यकता है?
डेव ट्वीड

उत्पादन को आपूर्ति वोल्टेज (10 वी .. 14 वी) के आनुपातिक माना जाता है। रोकनेवाला R1 पहले से ही लागू है मैं इसे बदल नहीं सकता। मुझे somethig सरल द्वारा R2 को बदलने की आवश्यकता है, जिसे मैं एक माइक्रोकंट्रोलर द्वारा नियंत्रित कर सकता हूं।
सर्ज

दो स्तरों को पॉप अप करें और समझाएं कि आप वास्तव में क्या हासिल करने की कोशिश कर रहे हैं। आप जो हासिल करना चाहते हैं, उससे चिपके रहें, न कि यह सोचें कि इसे कैसे पूरा किया जा सकता है। कुछ कल्पित समाधान प्रस्तुत करके, यह वास्तविक समस्या को कठिन बना देता है, खासकर जब से हम यह भी नहीं जानते कि यह क्या है।
ओलिन लेट्रोप


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यदि आप किसी मौजूदा डिवाइस को हैक कर रहे हैं, तो 1 kOhm 4-वे डिजिटल पोटेंशियोमीटर प्राप्त करें, और आपको 0 - 250 ओम डिजिटली नियंत्रणीय अवरोधक प्राप्त करने के लिए इसे गैंग करें। आप इसे D2C के बजाय, डिजिटल रूप से I2C या SPI के साथ नियंत्रित करते हैं। AD5254 या AD8403 शायद कर सकता है।
जॉन वाट

जवाबों:


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तकनीकी रूप से MOSFET एक चर अवरोधक के रूप में काम कर सकता है, लेकिन दो मुख्य मुद्दे हैं:

  1. ओममिक क्षेत्र में (जो आउटपुट वोल्टेज के मामले में काफी संकीर्ण है) रैखिकता खराब है, और यह इनपुट वोल्टेज पर भी निर्भर करता है। एक उचित अवरोधक की तरह व्यवहार करना बहुत आसान नहीं होगा।

  2. MOSFETs का आउटपुट प्रतिरोध आमतौर पर एक सटीक मान नहीं होता है, और डेटाशीट से सटीक मान प्राप्त करना कठिन होगा। विभिन्न इनपुट और आउटपुट वोल्टेज के लिए इसे मापने के लिए आप क्या कर सकते हैं, और मूल्यों के साथ एक तालिका बना सकते हैं। लेकिन अगर आपको सटीक होने की आवश्यकता नहीं है, तो आप ग्राफ़िक्स को डेटाशीट में उपयोग कर सकते हैं।

एक अन्य विकल्प एक एकीकृत वीसीआर का उपयोग करना हो सकता है ।


प्रश्न का उत्तर देने के लिए +1। ऐसा नहीं है कि अन्य सभी टिप्पणियां निश्चित रूप से मान्य नहीं हैं।
बोबनी बेनेट

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मार्टिन हार्टले जोन्स की आदरणीय पाठ्यपुस्तक के अनुसार पी। 139 , नकारात्मक प्रतिक्रिया का उपयोग करके रैखिकता के मुद्दों को दूर किया जा सकता है। इसके अलावा, एक ही पाठ्यपुस्तक का कहना है कि FET वोल्टेज-नियंत्रित एटेन्यूएटर आमतौर पर डॉल्बी द्वारा उदाहरण के लिए स्वत: लाभ नियंत्रण उपकरणों (गतिशील रेंज संपीड़न) के रूप में उपयोग किए जाते थे। सिलिकॉनिक्स नोट AN105 में JFETs वोल्टेज कंट्रोल रेसिस्टर्स के साथ कुछ उदाहरण सर्किट हैं: एक फीडबैक सर्किट और एक ऑपरेशनल एम्पलीफायर के लाभ का वोल्टेज-नियंत्रण, लेकिन न कि फोल्ड किए गए डॉल्बी सर्किट।
फ़िज़

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इसके अलावा, वोल्टेज-नियंत्रित रोकनेवाला के लिए एक और नाम ट्रांसकंडक्शन एम्पलीफायर है , जिसका उपयोग एक परिचालन (एकल एफईटी) एम्पलीफायर को संदर्भित करने के लिए उपयोग किए जाने की अधिक संभावना है।
फिज़ा

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ओटीए (ऑपरेशनल ट्रांसकांस्कुलेशन एम्पलीफायर) का उपयोग करते हुए वोल्टेज-नियंत्रित प्रतिरोधक को लागू करने वाले तीन सर्किट LM137000 , पीपी। 12-14 की डेटा शीट में दिए गए हैं ।
फ़िज़

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जी हाँ। आप 100% सही हैं!

एक MOSFET को आसानी से एक चर अवरोधक के रूप में इस्तेमाल किया जा सकता है। आपको एक चर अवरोधक के रूप में उपयोग करने से पहले कुछ महत्वपूर्ण मापदंडों पर विचार करना होगा। मुख्य बातें हैं

  1. RDS(on)

  2. रैखिक क्षेत्र में MOSFET का व्यवहार हालांकि यह लगभग सभी MOSFETs के लिए समान है।

अब हम देखेंगे कि कैसे हम MOSFET के निम्नलिखित विशेषता घटता का उपयोग करके इसे एक चर अवरोधक के रूप में उपयोग कर सकते हैं दिए गए Vgs के लिए नाली वर्तमान बनाम नाली वोल्टेज विशेषताओं

  1. VGSVth

  2. VDS

  3. RDS(on)


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मुझे लगता है कि रैखिक क्षेत्र में यह कहना सटीक होगा कि MOSFET " एक अवरोधक की तरह काम करता है "। यदि यह वास्तव में एक अवरोधक की तरह होता, तो वे वोल्टेज-करंट लाइनें सीधी रेखाएं होतीं, लेकिन आप स्पष्ट रूप से देख सकते हैं कि वे नहीं हैं। वे कुछ छोटे क्षेत्र पर, सीधी रेखाओं का अनुमान लगाते हैं, लेकिन यह कहना कि वे एक अवरोधक की तरह हैं, अति-आदर्श है।
फिल फ्रॉस्ट

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हाँ फिल। मैं आपसे पूरी तरह सहमत हूँ। मेरे जवाब में मैं सिर्फ एक विचार देना चाहता था कि कैसे इसकी सीमा को एक प्रतिरोध की तरह देखा जा सकता है।
दुर्गाप्रसाद
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