माइक्रोकंट्रोलर से एलईडी पट्टी ड्राइविंग


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मैं चमक को नियंत्रित करने के लिए PWM का उपयोग करके एक माइक्रोकंट्रोलर से एल ई डी की एक पट्टी ड्राइव करना चाहता हूं। मेरे पास पट्टी 12V पर 1.5A है। मैं केवल विशुद्ध रूप से कम बिजली वाले डिजिटल इलेक्ट्रॉनिक्स से परिचित हूँ, इसलिए अगर ये धारणा सही है और कोई सलाह लेना चाहता है, तो जाँच करें:

  • अगर मैं इसे चलाने के लिए एक NPN ट्रांजिस्टर का उपयोग करता हूं, तो चालू होने वाला ट्रांजिस्टर 0.7v के बारे में छोड़ देगा इसलिए चालू होने पर 1Watt से अधिक विघटित हो जाएगा।
  • इसके लिए एक उचित चंकी ट्रांजिस्टर और एक हीट सिंक की आवश्यकता होती है, जिसे मैं यदि संभव हो तो बचना चाहता हूं।
  • तो मैं बेहतर होगा कि एक ऐसी मस्जिद का इस्तेमाल किया जाए जिसमें प्रतिरोध कम हो, ताकि मैं एक छोटे से और शायद किसी भी तरह की गर्मी से दूर हो सकूं?

  • हालाँकि, विभिन्न MOSFETs की कल्पना को देखते हुए मैं इसे किसी भी तरह से खरीद सकता हूं जो वर्तमान की इस राशि को पारित कर सकता है जिसकी आवश्यकता 3.3v से अधिक है जिसे मैं अपने माइक्रोकंट्रोलर से पूरी तरह चालू कर सकता हूं।

  • तो क्या मैं एक छोटे एनपीएन ट्रांजिस्टर को 12 वी स्विच करने के लिए सबसे अच्छा हूँ जो वास्तविक एलईडी पट्टी को नियंत्रित करने के लिए एक मस्जिद के इनपुट पर स्विच कर सकता है? (क्षमा करें, मैं इस कंप्यूटर पर आरेख नहीं बना सकता, लेकिन यदि आवश्यक हो तो बाद में जोड़ सकता है)

क्या मेरी धारणा सही है, और क्या किसी के पास कोई सलाह या बेहतर तरीका है? मैं उपयुक्त भागों के लिए सिफारिशों में भी दिलचस्पी लेता हूँ, हालांकि यह मेरा मुख्य प्रश्न नहीं है।

(संपादित करें: मैंने अन्य पोस्टों की तलाश की, जिन्होंने इसका उत्तर दिया और कुछ भी ऐसा नहीं मिला जो मैं चाहता था, अगर किसी के पास डुप्लिकेट के लिए लिंक है तो कृपया इसे पोस्ट करें और मैं खुशी से प्रश्न बंद कर दूंगा)।

जवाबों:


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12 वोल्ट पर 1.5 ए के लिए, 3.3 वोल्ट द्वारा स्विच किया गया, यहां एक एमओएसएफईटी समाधान है जो अच्छी तरह से काम करेगा। यहाँ सुझाए गए MOSFET में एक eBay से अन्य IRLML2502 उपलब्ध है और मुफ्त शिपिंग के साथ 10 के लिए $ 2.35 जितना कम है

ढांच के रूप में

इस सर्किट का अनुकरण करें - सर्किटलैब का उपयोग करके बनाई गई योजनाबद्ध

IRLML2502 में 2.5 वोल्ट गेट वोल्टेज पर 0.08 ओम का अधिकतम प्रतिरोध है , और गेट वोल्टेज 3.3 वोल्ट के करीब हो जाता है। यह 20 वोल्ट ड्रेन टू सोर्स का सामना कर सकता है , इसलिए यह 12 वोल्ट की आपूर्ति के साथ अच्छी तरह से काम करेगा। नाली-स्रोत वर्तमान रेटिंग 3 एम्पीयर से अधिक है , सुरक्षा का 100% से अधिक मार्जिन प्रदान करता है।

0.08 ओम और 1.5 एम्पीयर पर, एमओएसएफईटी पूरी तरह से चालू होने पर 180 मिलीवाट को नष्ट कर देगा । यहां तक ​​कि पीडब्लूएम के स्विचिंग किनारों के लिए अनुमति देना, अपव्यय 250 मेगावाट या उससे अधिक नहीं होगा, इसलिए इस एप्लिकेशन के लिए कोई गर्मी सिंक की आवश्यकता नहीं है।

मान्यताओं के बारे में:

  • विशिष्ट ट्रांजिस्टर के Vce के कारण NPN ट्रांजिस्टर ड्रॉप और अपव्यय सही है, देना या लेना
  • चंकी ट्रांजिस्टर (BJT), वास्तव में नहीं, लेकिन एक TO-220 आकार विशिष्ट होगा, और हाँ, एक हीट सिंक की आवश्यकता होगी
  • हाँ, सुझाए गए MOSFET को ऊपर देखें
  • सही नहीं है, कई कम-लागत वाले MOSFETs हैं जो 3.3 वोल्ट के नीचे ठोस रूप से अच्छी तरह से चालू होते हैं, और आसानी से 1.5 एमीज पास कर सकते हैं
  • नहीं, NPN BJT के साथ हमेशा बेस करंट के इर्द-गिर्द एक संतुलन कार्य होता है। MOSFETs वोल्टेज चालित उपकरण होते हैं, कम उपद्रव के साथ काम करते हैं

आपकी कुछ धारणाएँ सही हैं। यह उत्तर एक बेहतर तरीका प्रदान करता है, और मुझे यकीन है कि अन्य लोग भी हैं।


धन्यवाद, यह बहुत मददगार है और मैं उस डिवाइस की कल्पना को देखूंगा, मैं खुद ऐसा कुछ भी करने में विफल रहा, इसलिए यह बहुत मददगार है।
जॉन बर्टन

डिवाइस स्पेसिफिकेशन ऊपर दिए गए जवाब में लिंक किए गए डेटाशीट में हैं, मदद के लिए खुश हैं।
अनिंदो घोष

IRLML2502 एक अच्छा सुझाव है, लेकिन आपका सर्किट नहीं है। आप गेट पर 3.3 V के साथ उस FET को ड्राइव कर सकते हैं, लेकिन आप कम नहीं जाना चाहते हैं। आपका R2 और R1 एक वोल्टेज विभक्त बनाता है जो गेट ड्राइव को गंभीर रूप से कम कर देता है। इस स्थिति में, R2 को एक छोटे से बदलें और R1 को पूरी तरह से खो दें, मूल रूप से डिजिटल CMOS आउटपुट से सीधे गेट को ड्राइव करें। यदि आप यह सुनिश्चित करना चाहते हैं कि गेट पर 10 कोम पुलडाउन गेट पर रखें। इस तरह यह सामान्य ऑपरेशन में हस्तक्षेप नहीं करेगा।
ओलिन लेट्रोप

धन्यवाद @OlinLathrop मुझे लगता है कि मैं सुरक्षा के लिए पुलडाउन चाहता हूं क्योंकि ऐसा लगता है कि दुर्घटना से डिवाइस को आधा मोड़ने से यह बहुत जल्दी गर्म हो जाएगा ...
जॉन बर्टन

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@ hamsolo474 MOSFET का गेट टू ग्राउंड जंक्शन लगभग एक अनंत प्रतिरोध है, जिसमें R2 के माध्यम से डीसी वर्तमान नगण्य होगा। शायद आप शॉर्ट सर्किट के रूप में गेट जंक्शन को मॉडलिंग कर रहे हैं।
अनिंदो घोष

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पहले सोचा है यह सर्किट: -

यहां छवि विवरण दर्ज करें

MCU BC547 (लगभग कोई NPN करेगा) को चालू या बंद करेगा और यह P चैनल FET के गेट पर 12V लागू करेगा (या हटाएगा)। आपको प्रतिरोध पर कम के साथ एक पी चैनल भ्रूण की आवश्यकता होगी। 0.1 आरडी (ऑन) 0.2 डब्ल्यू से कम फैल जाएगा ताकि एफईटी के लिए शिकार शुरू करना एक अच्छा बिंदु हो।

यदि आप 100 के हर्ट्ज में स्विच कर रहे हैं तो 10k गेट-टू-सोर्स FET के लिए ठीक है लेकिन यदि आप कई kHz क्षेत्र में हैं तो 1k मान बेहतर होगा।

संभवतः IRLML5203 एक सभ्य विकल्प है - इसमें 0.098 ओम आरडीएस (ऑन), 30Vmax, 3Amax और SOT23 है


यह वह चीज है जो मैं सोच रहा था। सलाह और चित्र के लिए धन्यवाद :)
जॉन बर्टन
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