किन मामलों / आवेदन में एक उच्च स्विचिंग आवृत्ति वांछित और इसके विपरीत है? मैं एक डीसी-डीसी बूस्टर आईसी का चयन करने की कोशिश कर रहा हूं और मुझे नहीं पता है कि स्विचिंग आवृत्ति सर्किट को कैसे प्रभावित करेगी। केवल एक चीज जिसके बारे में मैं सोच सकता हूं कि स्कोटी डायोड की गति है जो प्रारंभ करनेवाला के बाद जाती है, लेकिन इसके अलावा, मुझे नहीं पता। Google इस पर बहुत उपयोगी नहीं है (या शायद मैं सही खोजशब्दों का उपयोग नहीं कर रहा हूँ) इसलिए किसी भी मदद की बहुत सराहना की जाती है।
जवाबों:
सामान्य तौर पर, दोनों बूस्ट और हिरन स्विचिंग नियामकों में, उच्चतर स्विचिंग आवृत्ति शारीरिक रूप से छोटे प्रेरकों और कैपेसिटर के उपयोग की अनुमति देती है। हालांकि, एक उच्च स्विचिंग आवृत्ति भी नियामक की समग्र दक्षता में बदल सकती है, स्विच स्वयं और गेट-ड्राइव सर्किट में दोनों को नुकसान से गुजरती है।
हां, डायोड घाटे को स्विच करने में कुछ योगदान देता है, लेकिन यह सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन का उपयोग करके कम किया जा सकता है; यानी, दूसरे MOSFET के साथ डायोड की जगह। (लेकिन फिर, उस MOSFET में गेट-ड्राइव के नुकसान भी हैं ... जैसा कि आप देख सकते हैं, इनमें से किसी एक डिजाइन को अनुकूलित करने से आश्चर्यजनक संख्या में ट्रेडऑफ़ शामिल हो सकते हैं।)
जैसे डेव कहता है कि आपका प्रारंभक छोटा हो सकता है। एक स्विचर पहले कॉइल के चुंबकीय क्षेत्र में आपूर्ति की गई ऊर्जा को संग्रहीत करता है और पुन: उत्पन्न करता है कि आउटपुट करंट में, प्रति सेकंड कई बार। उच्च आवृत्ति, कम अवधि और समय जिसके लिए उसे ऊर्जा संग्रहीत करना पड़ता है। ऊर्जा = शक्ति समय, इसलिए 10 गुना अधिक आवृत्ति का मतलब है कि कुंडल को दस गुना कम ऊर्जा का भंडारण करना है।
उच्च आवृत्ति का दोष उच्च स्विचिंग नुकसान है। एफईटी जो स्विचिंग तत्व के रूप में कार्य करता है, शून्य पावर के पास विघटित हो जाता है जब (क्योंकि इसके चारों ओर कोई वोल्टेज नहीं) और बंद (क्योंकि इसके माध्यम से लगभग कोई वर्तमान नहीं), लेकिन हर बार जब यह स्विच करता है तो यह अपने सक्रिय क्षेत्र से गुजरता है जहां वोल्टेज और वर्तमान अधिक होते हैं शून्य से, और हर बार यह कुछ ऊर्जा को नष्ट कर देता है। सक्रिय क्षेत्र के माध्यम से दस गुना अधिक आवृत्ति दस गुना अधिक है और दस गुना अधिक ऊर्जा नुकसान है।
साथ ही उच्च आवृत्ति अधिक विकिरण, EMI (इलेक्ट्रोमैग्नेटिक इंटरफेरेंस) का कारण बनेगी।