USB करेंट ड्रॉ की सीमा के पालन के लिए समाधान?


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सारांश: मैं एक यूएसबी-संचालित ली-आयन चार्जिंग सर्किट स्थापित कर रहा हूं और निश्चित रूप से अधिकतम चार्ज को संभवत: स्थितिगत रूप से आकर्षित करना चाहता हूं - लेकिन यह भी सुनिश्चित करना चाहता हूं कि मैं वर्तमान ड्रॉ पर यूएसबी विनिर्देश का उल्लंघन न करूं। जबकि मैं व्यक्तिगत रूप से यूएसबी की एक / दो स्थितियों को संतुष्ट करने में सक्षम रहा हूं, मुझे उन सभी को संतुष्ट करने के लिए स्मार्ट तरीके से सोचने में थोड़ी परेशानी हो रही है। यहाँ क्या हो रहा है ...

चार USB युक्ति नियम (करंट ड्रा मैक्सिमम के बारे में तीन, और इन्रश करंट लिमिटिंग के बारे में एक) मेरी विशेष स्थिति के अनुसार इस प्रकार हैं: (नोट: मैं इस चित्र में अलग-अलग समय-चरण दिखा रहा हूँ :)

नियम

अच्छी खबर है ...

मैं एक FTDI USB-UART IC, FT232R ( डेटाशीट ) का उपयोग कर रहा हूं , जिसमें एन्यूमरेशन का ध्यान रखा जाता है और इसमें आउटपुट भी होते हैं जो एन्यूमरेशन स्टेटस और सस्पेंड स्टेटस का संकेत देते हैं, जो सेटिंग के लिए उपयोगी होगा जब वर्तमान के स्तर को खींचना होगा।

यह भी मददगार है कि मैं ली-आयन चार्जर IC, MCP73871 ( डेटाशीट ) का उपयोग कर रहा हूं , जिसमें चार्ज करने योग्य पिन है, साथ ही Prog2 पिन और Prog1 पिन भी है जो चार्ज वर्तमान सीमा को सेट करने की अनुमति देता है।

आईसी के ऊपर दोनों के लिए इन उपयोगी पिनों के कार्यों को संक्षेप में मेरे (मोटे तौर पर) नीचे दिए गए लेआउट में प्रस्तुत किया गया है। यह अभी तक पूरा नहीं हुआ है, जैसा कि कुछ कनेक्शनों पर प्रश्न-चिह्न द्वारा इंगित किया गया है:

मेरा लेआउट

मेरा लेआउट

वर्तमान ड्रॉ चश्मा

अंत में, यहां दो आईसी के लिए स्थितिजन्य वर्तमान-ड्रा चश्मा हैं। बेशक, इन वर्तमान ड्रॉ को USB आपूर्ति पर 0.5 / 100/500 mA वर्तमान-ड्रा सीमा में भी गिना जाना है: वर्तमान ड्रॉ

प्रश्न: मेरे लेआउट को समायोजित करने के लिए एक समाधान प्रतीत होता है ताकि एक ही बार में सभी चार नियमों / शर्तों को पूरा किया जा सके, लेकिन मैं इसे नहीं देख रहा हूं; कोई विचार?

जैसा कि आप पहले मेरे लेआउट में देख सकते हैं, मैंने नरम शुरुआत समस्या के लिए एक असंबद्ध सर्किट (आरओएस संयोजन MOSFET पर) स्थापित किया है; और मुझे PROG1 पिन पर सीमा-सेटिंग रोकनेवाला मिल गया है, जो शायद 500mA बनाम 100mA बनाम 0.5mA समस्या को हल करने के लिए एक विभक्त के हिस्से के रूप में इस्तेमाल किया जा सकता है (आंशिक रूप से इस ऐप नोट में FTDI की रणनीति पर आधारित है )। लेकिन मैं जहाँ तक पहुँच पा रहा था।

जवाबों:


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"MCP73871 डिवाइस विशेष रूप से USB विनिर्देश द्वारा शासित वर्तमान खींची गई सीमाओं का पालन करता है।" -MCP73871

आपको कुछ भी सीमित करने की आवश्यकता नहीं है। आपका MOSFET समाधान केवल कैपेसिटिव लोड के कारण वर्तमान सीमा के लिए उपयोगी होगा, लेकिन आपका VDD पिन कैपेसिटिव नहीं है और न ही उस सर्किट की सीमा एक बार पहले से ही है। आपको बस इतना पता लगाना है कि विभिन्न प्रतिरोधक मानों में स्विच करने के लिए #PWREN और #SLEEP का उपयोग कैसे करें। MCP73871 बाकी काम करता है।

  1. "स्टैंडबाय" का ख्याल रखने के लिए बस #SLEEP टू #CE हुक करें।
  2. #PWREN और # PROG2 के बीच एक इनवर्टर जोड़ें, लेकिन सुनिश्चित करें कि फ्लो इनपुट घटता इन्वर्टर आउटपुट को LOW करता है।
  3. # PROG1 पर 2.2k पुलडाउन रखें

नोट: सुनिश्चित करें कि आपके पास R1 है क्योंकि #PWREN उच्च ड्राइव करेगा और आपको NPN में करंट को सीमित करने की आवश्यकता है।

यहाँ छवि विवरण दर्ज करें


यह सही लगता है; मैं अब इस पद्धति पर गौर करने वाला हूं, अगर कोई मामला है तो यह संतुष्ट नहीं करता है, और जैसे ही मैं इसे
देखूंगा

मुझे बताएं कि क्या आपको प्रतिरोधक मूल्यों के साथ मदद की ज़रूरत है
एनालॉग आरसोनिस्ट

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शायद एक रीसेट नियंत्रक यहां उपयोगी होगा; स्टार्टअप के लिए अपने आउटपुट को RC नेटवर्क से कनेक्ट करें। फिर SLEEP लें, इसे उल्टा करें, और इसे रीसेट सिग्नल के साथ, और CE को फ़ीड करें। PWREN के लिए, 1.5V या तो के बारे में एक वोल्टेज विभक्त बनाएँ। 1V के खिलाफ एक इनवर्टर तुलनित्र के माध्यम से रखो, और उसे PROG2 को खिलाओ।


क्या आप एक योजनाबद्ध आकर्षित कर सकते हैं, फिर एक पाठ स्पष्टीकरण का पालन करना बहुत आसान होगा और आप योजनाबद्ध व्याख्या करने के लिए पाठ का उपयोग कर सकते हैं।
कोर्तुक
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