MOSFETs के साथ क्या हो रहा है?


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सबसे लंबे समय तक, मैं FET और MOSFETs से दूर रहा (जब यह मेरे सर्किट में असतत ट्रांजिस्टर का उपयोग करने की बात आती है, तो)। मैं कोशिश करने के बहाने एक वर्तमान हॉबी प्रोजेक्ट ले रहा हूं और अंत में उनका उपयोग करने के साथ सहज हो गया हूं। हालाँकि, मैं इन जानवरों से सिर या पूंछ नहीं बनवा सकता।

किसी भी वास्तविक सर्किट की कोशिश करने से पहले, मैं बुनियादी (लगभग "शुद्धता जांच") LTspice सिमुलेशन चला रहा हूं। अत्यंत सरल सर्किट, और वे अभी भी काम नहीं कर रहे हैं। उदाहरण के लिए, इस एलटीस्पाइस स्क्रीन को नीचे देखें - वोल्टेज जांच बिजली की आपूर्ति के आउटपुट पर है; वर्तमान को ड्रेन पिन से जुड़े रेसिस्टर के माध्यम से मापा जाता है। यह 1mA माना जाता है जब MOSFET आयोजित करता है (V2 12 वोल्ट है), और मुझे उम्मीद है कि इनपुट वोल्टेज 0V होने पर 1μs के लिए 0mA पर वापस जाना होगा:

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BTW, अगर मैं V1 को एक डीसी स्रोत बनाता हूं, तो यह काम करता है: मैं इसे 0V पर सेट करता हूं और R1 के माध्यम से वर्तमान 0mA है (ठीक है, पीए के क्रम में), और अगर मैं इसे 5V पर सेट करता हूं, तो वर्तमान 1mA है।

मैं क्या खो रहा हूँ? मैंने V1 से गेट तक 100Ω अवरोधक के साथ भी कोशिश की; यह बस स्विच करते समय करंट में थोड़ा गोल-ईश बम्प बनाता है, लेकिन यह अभी भी 0mA पर वापस नहीं आता है। मैंने गेट से GND में 10k रेसिस्टर भी जोड़ा। अनुकृति का आउटपुट दिखाते हुए नीचे दी गई छवि देखें (और फिर से: मुझे क्या याद आ रहा है?):

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मेरे पास इस विषय पर कुछ और ठोस सवाल हैं, लेकिन मैं इससे बेहतर "खिलौना" सर्किट के बारे में सोचता हूं इससे पहले कि मैं "वास्तविक" अनुप्रयोगों (यहां तक ​​कि शौक परियोजनाओं के संदर्भ में) करने की कोशिश करूं।


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ऐसा लगता है कि आप अपने FET को बहुत तेज़ी से स्विच कर रहे हैं - पहले एक बार फिर से प्रयास करें, इस बार गेट वोल्टेज हर दूसरे या तो बदल रहा है।
पफैफिश

2N700x की तरह तेज़ स्विचिंग ट्रांजिस्टर आज़माएँ।
सीएल।

जवाबों:


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1000 बार धीमे जैसे एक विशाल पैमाने पर अलग-अलग समय पैमाने पर एक ही अनुकरण करें । इसलिए हमें (माइक्रो सेकंड) को एमएस (मिली सेकंड) में बदलें और फिर से सिमुलेशन चलाएं।

ध्यान दें कि पहले प्लॉट में लाल ट्रेस कैसे कम हो रहा है लेकिन शून्य पर पहुंचने से पहले आप फिर से NMOS को स्विच करते हैं। शून्य तक पहुंचने का समय नहीं है!

गेट और ड्रेन के बीच एक बड़ा कैपेसिटर मौजूद है और 12 k ड्रेन रेसिस्टर के साथ संयुक्त है जो कि एक बड़ा समय है। 1us से बड़ा आप इसे अनुमति दे रहे हैं। तो चीजों को धीमा करें और देखें कि क्या होता है।

जब आप अपनी अपेक्षा के अनुसार वक्र प्राप्त करते हैं, तो नाली रोकनेवाला का मूल्य कम करें और ध्यान दें कि गति फिर से कैसे बढ़ जाती है। 1 पर हमें शायद आपको 120 ओम या तो चाहिए, न कि 12 k ओम)।


आह। एक उत्तर ने मेरी टिप्पणी को हरा दिया। हां, गेट कैपेसिटेंस FET के धीमे स्विचिंग का कारण होगा।
पफैफिश

इस भाग के मैनुअल के अनुसार (फास्ट स्विचिंग एन चैनल), सबसे खराब टर्न-ऑन / टर्न-ऑफ केस 42ns है। क्या यह आंतरिक समाई को ध्यान में नहीं रखता है? यदि नहीं, तो आप भाग के समय की विशेषताओं को कहां से पा सकते हैं? 12V पर, मैनुअल में एक तालिका के अनुसार समाई लगभग 1nF है।
लुंडिन

आआहह - गेट टू ड्रेन कैपिसिटी !! मेरे दिमाग में, यह "इनपुट कैपेसिटेंस" था जिसे मैं ऐनक में देखता हूं, और मैं इसे केवल इनपुट सिग्नल को प्रभावित करने वाले कैपेसिटेंस को हटाने के लिए गेट के रूप में चित्रित कर रहा था। यह मेरे लिए एक "आउटपुट कैपेसिटेंस" (तो बोलने के लिए) चित्र नहीं था। किसी भी दर पर (कोई दंडित इरादा नहीं), यह अब काम कर रहा है! 10Ω पर आउटपुट रेसिस्टर के साथ, यह लगभग होता है। 10 झूले के आउटपुट के लिए।
-लाइनक्स

एक मेटा-टिप्पणी के रूप में (यदि आप मुझे लिप्त करते हैं) - अजीब बात है कि मैं गलतियों / ओवरसाइट्स / आदि के साथ बहुत सुसंगत लग रहा हूं। मैं बनाता हूं .... बहुत पहले नहीं, मैंने यहां (कुछ हद तक) उच्च आवृत्ति वाले ऑप-एम्प्स पर एक प्रश्न पोस्ट किया था, और लगता है कि क्या: मैं अपने "डिफ़ॉल्ट" प्रतिरोधक मान (10k) का उपयोग कर रहा था जिसका उपयोग मैं ऑडियो सर्किट के लिए कर रहा हूं , जब वास्तव में, बैंडविड्थ के लिए मैं देख रहा था, मुझे लगभग 300 fact प्रतिरोधों की आवश्यकता थी !!! ओह ठीक है, मैं एक अच्छी बात के रूप में निरंतरता देखना पसंद करूंगा :-)
कैल-लिनक्स

मैं यह भी सुझाव दूंगा कि धीमी गति के लिए (गेट पर) मोड़ को करीब से देखें और चैनल के रूप में गेट के पठार को देखें। यह एन्हांसमेंट मोड MOSFETs में एक अंतर्निहित मुद्दा है, निश्चित रूप से, लेकिन इसे समझने की आवश्यकता है। इन सबसे बाहर निकलो।
पीटर स्मिथ
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