पैरेल्लिंग मॉसफेट्स: क्या मैं एक सामान्य गेट रेसिस्टर का उपयोग कर सकता हूं, या क्या मुझे प्रत्येक मस्जिद के लिए एक अलग उपयोग करना होगा?

Question

एक एकल मस्जिद के लिए गेट रोकनेवाला की गणना करते समय, पहले मैं सर्किट को एक श्रृंखला आरएलसी सर्किट के रूप में मॉडल करता हूं। जहां, Rगेट रेसिस्टर की गणना की जानी है। Lमस्जिद गेट और मस्जिद चालक के आउटपुट के बीच ट्रेस इंडक्शन है। Cमस्जिद गेट से देखा गया इनपुट कैपेसिटेंस है (जैसा दिया गया है$C_{iss}$मस्जिद डाटा शीट में)। फिर मैं Rउपयुक्त भिगोना अनुपात, वृद्धि समय और ओवरशूट के मूल्य की गणना करता हूं ।

क्या ये चरण तब बदलते हैं जब समानताएं में एक से अधिक मच्छर जुड़े होते हैं। क्या मैं प्रत्येक मस्जिद के लिए अलग गेट रेसिस्टर का उपयोग न करके सर्किट को सरल बना सकता हूं, या क्या प्रत्येक मस्जिद के लिए अलग गेट रेसिस्टर्स का उपयोग करने की सिफारिश की गई है? यदि हाँ, तो क्या मैं Cप्रत्येक मस्जिद के गेट कैपेसिटर के योग के रूप में ले सकता हूँ ?

^{इस सर्किट का अनुकरण करें - सर्किटलैब का उपयोग करके बनाई गई योजनाबद्ध}

विशेष रूप से, मैं TK39N60XS1F-ND से बने एच-ब्रिज को चलाने का लक्ष्य बना रहा हूं । प्रत्येक शाखा में दो समानांतर मस्जिदें (कुल 8 मस्जिदें) होंगी। Mosfet ड्राइवर सेक्शन में दो UCC21225A शामिल होंगे । काम करने की आवृत्ति 50kHz और 100kHz के बीच होगी। लोड 31.83mH या इससे अधिक के अधिष्ठापन के साथ एक ट्रांसफार्मर का प्राथमिक होगा।

Comments

नहीं!!! ईश्वर जानता है कि हमें एक उत्पाद पर कितने रिटर्न मिले, जिसमें आम गेट रेसिस्टेंट है। उत्तीर्ण टाइप टेस्ट लेकिन बड़े पैमाने पर उत्पादन के साथ वीजीएस के बड़े पैमाने पर बदलाव आता है। बूम!

— winny

@winny Biasing को ठीक करना चाहिए हालांकि, है ना?

— मस्त

@ मैस्ट जो केवल एक व्यक्तिगत गेट रेसिस्टर्स की तुलना में एक रेसिस्टर से कम लेता है?

— winny

Answer 1

निर्भर करता है, और जो निर्भर करता है वह आपके वास्तविक सर्किट पर आधारित होता है न कि आपके इच्छित सर्किट पर

^{इस सर्किट का अनुकरण करें - सर्किटलैब का उपयोग करके बनाई गई योजनाबद्ध}

आपका व्यावहारिक प्लेसमेंट कुछ इस तरह का निर्माण करेगा (कुछ अन्य आवेगों को शामिल करेगा लेकिन अभी के लिए यह करेगा)।

यदि आप वर्तमान प्रवाह के बारे में सोचते हैं जब आप फाटकों को चार्ज / डिस्चार्ज करेंगे

2. MOSFET ड्राइवर
3. गेट रोकनेवाला
4. MOSFET के लिए विभाजित पथ
5. प्रत्येक MOSFET स्रोत के माध्यम से
6. आम संदर्भ में पुनर्संयोजन करें
7. MOSFET ड्राइवर पर वापस कुछ पथ के माध्यम से

यह लूप वह है जिसे आपको बैलेंस्ड और आदर्श रूप से छोटा रखना है। कल्पना कीजिए कि यदि खराब लेआउट / ट्रैकिंग / वायरिंग के कारण दायां FET का स्रोत गेट और / या स्रोत पर अधिष्ठापन का 10x है, तो यह धीमी गति से स्विच करेगा जिसका अर्थ है कि बाएं FET क्षणिक प्रतिक्रियाओं का अधिक अनुभव करेगा।

बड़े बिजली उपकरणों में वे प्रति मिनट एक छोटे से व्यक्तिगत गेट रेसिस्टर का उपयोग करते हैं और फिर सभी उपकरणों को समानांतर करते हैं, लेकिन वे लेआउट को वास्तव में बहुत तंग करते हैं और समान रूप से वे बहुत बारीकी से मिलान किए गए उपकरणों के लिए MOSEFET / IGBT बैच विशेषताओं के नियंत्रण में हैं। यदि आप ऐसा नहीं कर सकते हैं, तो एक अलग गेट रोकनेवाला होना बेहतर है।

समानांतर आईजीबीटी एक आम सब्सट्रेट पर मर जाते हैं

एक अलग गेट रेसिस्टर का लाभ है, यदि आपको अन्य टिप्पणियों के आधार पर एक पैर की प्रतिक्रिया को ट्यून करने की आवश्यकता है, तो आप कर सकते हैं

Answer 2

VGS (TH) में भिन्नता के कारण एक अवरोधक को साझा करने की अनुशंसा नहीं की जाती है। व्यक्तिगत प्रतिरोधों के साथ, FET का स्विचिंग अधिक समवर्ती होगा।

Answer 3

प्रतिरोधक सस्ते हैं, इसलिए मैं कहूंगा कि यह इसके लायक नहीं है, लेकिन असफलताएं तत्काल नहीं होंगी। यदि दोनों FET में समान Vgs है, तो Rg के माध्यम से चोटी का करंट दोगुना हो जाएगा, और यह स्पंदित करंट होता है, जो रेसिस्टर्स पर महान नहीं होता है।

एफईटी के वीजीएस बहुत यादृच्छिक हो सकते हैं। यदि एफईटी में अलग-अलग वीजीएस हैं, तो वे थोड़ा अलग वोल्टेज चालू करते हैं, इसलिए एक एफईटी वोल्टेज वृद्धि को धीमा कर रहा है, जबकि यह पूरी तरह से चालू करने के लिए पर्याप्त वर्तमान खींचता है, फिर वोल्टेज फिर से बढ़ने लगता है और दूसरा एफईटी चालू हो जाएगा। जो उपकरण पहले चालू होता है, वह दूसरे उपकरण के चालू होने से पहले स्वयं संचालित होता है।

अपने सर्किट में बहुत सारे हेड रूम को छोड़ना याद रखें, क्योंकि FET पर वर्तमान शेयरिंग सही नहीं होगी। और FET डायोड पर निर्भर न हों, या तो, क्योंकि डायोड वर्तमान करंट को बहुत साझा करते हैं।