TRIACs के लिए "dV / dt" का क्या अर्थ है?


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यह शायद स्पष्ट है, लेकिन चूंकि मेरे पास अभी भी इंजीनियरिंग शिक्षा नहीं है, इसलिए मैं इस समस्या में भाग गया:

DV / dt का क्या अर्थ है? यह एक TRIAC पर क्या प्रभाव डालता है?


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DV / dt का अर्थ है समय के साथ वोल्टेज का बढ़ना - ढलान का कम होना। एक उच्च DV / dt स्वयं ट्रिगर हो सकता है।
मार्को बुर्सिक

हाई स्कूल पथरी - डाई / डीएक्स। यह ग्राफ में ढलान है
स्लीपबेटमैन

dV / dT वह है जिसके बारे में मैं हमेशा सोचता हूं, जब मैं हॉरिस्ट आतिशबाजी या रॉकेटरी कंट्रोल सिस्टम के लिए बीमार सूचित हॉवोटो को देखता हूं, जो एक स्विच और बैटरी के साथ श्रृंखला में एक नंगे thyristor / triac
डालते हैं

जवाबों:


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जब त्रिक के पार वर्तमान के अंतर्गत आता है IH, जो होल्डिंग करंट है, ट्राइक कंडक्ट करना बंद कर देता है। शुद्ध प्रतिरोधक भार के साथ यह साइन वेव चक्र के बहुत अंत में होता है, और वोल्टेज और करंट चरण में होते हैं। जब लोड में एक आगमनात्मक घटक (जैसे एक मोटर) होता है तो वर्तमान और वोल्टेज के बीच एक अंतराल होता है। फिलहाल जब करंट नीचे गिरता हैIHवोल्टेज पहले से ही विपरीत ध्रुवता के साथ बढ़ गया है। इसलिए जब triac बंद हो जाता है तो triac पर एक बड़ा dV / dt होता है - "वोल्टेज तुरंत कट जाता है"। यह स्थिति ट्राइक को आत्म ट्रिगर कर सकती है, और यह अनियंत्रित आचरण करना शुरू कर देती है। उपाय एक स्नबर सर्किट का उपयोग करना है, अर्थात ट्राइक के साथ समानांतर में एक आरसी।

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dV / dt समय के संबंध में वोल्टेज का व्युत्पन्न है। दूसरे शब्दों में, यह वोल्टेज में परिवर्तन (डेल्टा V, या dividedV) है जो समय में परिवर्तन (डेल्टा टी, या ,t) से विभाजित है, या वह दर जिस पर वोल्टेज समय के साथ बदलता है।


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यदि आपके पास एक वक्र था y=x2 नीचे की तरह: -

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जब x = 3 (y = 9) पर ढलान की गणना करके अनुमान लगाया जा सकता है कि x कितना परिवर्तन से विभाजित है। परिवर्तन को "डेल्टा" कहा जाता है इसलिए ढलान हैΔy/Δx

असीम परिवर्तन की ओर ले जाया गया, गणितीय रूप से इसे डाई / डीएक्स के लिए "नाम" दिया गया। मूल सूत्र में डाई और dx जोड़कर इसे बीजगणितीय रूप से सिद्ध भी किया जा सकता है: -

y+dy=(x+dx)2

y+dy=x2+2xdx+dx2

घटाव y (=) x2) दोनों ओर से देता है: -

dy=2xdx+dx2

फिर यह देखते हुए कि अगर dx तब बहुत छोटा है dx2 इसलिए नजरअंदाज किया जा सकता है: -

dydx=2x

किसी भी बिंदु पर वक्र पर दूसरे शब्दों में y=x2 ढलान 2x है

समय के साथ बदलते वोल्टेज के संदर्भ में यह DV / dt है। यह triacs और mosfets के लिए महत्व रखता है और ऐसे उपकरणों को ट्रिगर या आंशिक रूप से सक्रिय करने का कारण बन सकता है यदि समय के साथ वोल्टेज के परिवर्तन की दर बहुत अधिक है।


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अब तक सभी ने समझाया है कि क्या ΔvΔt साधन (वोल्टेज के परिवर्तन की दर, इसका ढाल, वोल्टेज आरटी समय की पहली व्युत्पन्न)

लेकिन क्या यह TRIAC के साथ टूडू है? यदि डिवाइस में उच्च DV / dt है, तो थायरिस्ट्स / SCR की तरह ट्राईक्स को फिर से गेट किया जा सकता है

http://class.ece.iastate.edu/ee330/miscHandouts/AN_GOLDEN_RULES.pdf

यह अत्यधिक प्रतिक्रियाशील लोड को चलाते समय होने की संभावना है, जहां लोड वोल्टेज और वर्तमान तरंगों के बीच पर्याप्त चरण बदलाव होता है। जब त्रिक लोड शून्य के माध्यम से गुजरता है, तो वोल्टेज चरण बदलाव के कारण शून्य नहीं होगा (चित्र 6 देखें)। इस वोल्टेज को ब्लॉक करने के लिए ट्राइक की आवश्यकता होती है। कम्यूटेटिंग वोल्टेज के परिवर्तन की परिणामी दर, ट्राइक को चालन में वापस ला सकती है यदि यह अनुमत dVCOM / dt से अधिक है। ऐसा इसलिए है क्योंकि जंक्शन को खाली करने के लिए मोबाइल चार्ज कैरियर को समय नहीं दिया गया है।


मार्को ने समझाया कि TRIACs के साथ क्या करना है
DerStrom8

हाँ, मैंने किसी को यह बताया कि मैंने हिट सबमिट करने के बाद
JonRB

वहाँ किया गया था कि! = पी
डेरस्ट्रोम 8

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Dv / dt त्रिक के इनरल्स (सिलिकॉन) में इंजेक्शन के लिए अभिव्यक्ति है; ऊर्जा तंत्र Q = C * V, जब हम वृद्धिशील परिवर्तन करते हैं और देखते हैं कि क्या होता है, dQ / dT = C * dV / dT + V * dC / dT हो जाता है। 2 भाग को अनदेखा करने के लिए चुना गया, और वर्तमान = dQ / dT को पहचानने के बाद, हमें छोड़ दिया जाता है

I=CdV/dT

हम वोल्टेज की परिवर्तन की उच्च दरों की खोज करते हैं जो Triac को ट्रिगर करेगा।


DV / dT का चार्ज इंजेक्शन भी FET को जोखिम में डालता है। जब तक पर्याप्त स्रोत संपर्क और वेल संपर्क नहीं होते हैं, तब तक शुल्क सभी POSSIBLE PATHS का पीछा करेगा; संपर्कों में करंट क्राउडिंग के कारण I * R काफी बड़ा हो जाता है जो परजीवी बायपोलर के एमिटर-बेस जंक्शनों को चालू करता है, जिस स्थिति में द्विध्रुवीय प्रवाह में जुड़ जाता है। कई मामलों में, जो Gain> 1 सकारात्मक प्रतिक्रिया के बारे में लाता है, और FET / द्विध्रुवी पूरे VDD चार्ज स्टोरेज नेटवर्क को शून्य शून्य तक नीचे करने की कोशिश करता है। उस मात्र प्रयास के साथ, सिलिकॉन और एल्यूमीनियम पिघला।

कैसे बचें? डीसी रिसाव नियंत्रण के लिए न केवल क्षणिक चार्ज कार्यों के लिए स्रोत और वेल संपर्क डिज़ाइन करें।

यहाँ क्षणिक स्थितियों (1volt प्रति नैनोसेकंड) इंजेक्शन चार्ज के तहत उच्च वोल्टेज का माइक्रफ़ोटोग्राफ़ है, उस चार्ज के साथ फिर एक वेल संपर्क के आसपास भीड़।

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