MOSFET स्विच - पूरी तरह से बंद नहीं?


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मेरे पास निम्नलिखित सर्किट है जो एक प्रोटोबार्ड पर वायर्ड है।

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BSS138 MOSFET के लिए डेटाशीट यहाँ है । मैं इस सर्किट के साथ जो कुछ भी देख रहा हूं उसके बारे में हैरान हूं - जब मैं गेट रोकनेवाला पर 3.3V लागू करता हूं, तो MOSFET पूरी तरह से चालू हो जाता है और मैं आउटपुट पर 3mV देखता हूं। यह, निश्चित रूप से, अपेक्षित है।

हालाँकि, यदि मैं गेट रोकनेवाला से 3.3V निकालता हूं, तो पुल-डाउन रोकनेवाला गेट बंद कर देता है। मुझे आउटपुट पर लगभग 3.3V देखने की उम्मीद थी, फिर भी मुझे केवल 2.7V दिखाई देता है। अगर मैं 5V के साथ R1 पर 3.3V को प्रतिस्थापित करता हूं, तो आउटपुट 4V दिखाता है। दूसरे शब्दों में, MOSFET के बंद होने पर R1 पर एक वोल्ट गिराया जा रहा है। क्या यह अपेक्षित है? किसी तरह, मैं उम्मीद करता था कि जब बंद हो तो MOSFET का अत्यधिक उच्च प्रतिरोध होगा और इसलिए जब बंद हो रहा था तो लगभग 5V इस पर गिराए जाने की उम्मीद थी।

क्या मेरी उम्मीदें इस MOSFET के अनुरूप नहीं हैं?


टेस्ट 1 : उत्तीर्ण।

टेस्ट 2 : ड्रेन टू सोर्स वीएफ = 0.515 वी, सोर्स टू ड्रेन = 0.09 वी, गेट टू सोर्स = 0.07 वी।

यह काफी विचित्र था। कृपया ध्यान दें, मैंने कई बार परीक्षण किया है। मुझे हमेशा एक परिणाम मिलता है। मैंने कहीं भी ओपन-लूप नहीं देखा। यह मुझे विश्वास दिलाता है कि मैंने इसे संभालने के दौरान वास्तव में इस MOSFET को नष्ट कर दिया था। एक सहकर्मी ने मुझे बताया कि उसने कल उसी रील से एक और MOSFET को नष्ट कर दिया। यह मुझे टेस्ट 4 की ओर ले जाता है।

टेस्ट 4 : अपूर्ण। मैं अब इन MOSFETs को संभालने में थोड़ा अधिक सावधान हूँ। मुझे यह महसूस नहीं हुआ कि डिवाइस जितना छोटा होगा, उसके खराब होने की संभावना उतनी ही अधिक होगी। मैंने पहले MOSFETs को संभाला है, लेकिन वे आकार में बहुत बड़े थे: TO-220। मैं अपनी एंटी-स्टैटिक रिस्ट स्ट्रैप को घर से काम करने के लिए लाया था, लेकिन जिस कमरे में मैं काम करता हूं, उसमें अर्थ टर्मिनल नहीं है (नोट देखें !! लेकिन मैं इस निश्चित ASAP को प्राप्त करने पर काम कर रहा हूं। मुझे नहीं लगता कि मैं ' जब तक मैं ठीक से ग्राउंडेड नहीं हो जाता, तब तक मैं कुछ भी करने से बचता हूं। मैं एक एंटी-स्टैटिक मैट का ऑर्डर दे रहा हूं। यहां का वातावरण काफी सूखा है। यह सोचना कि यह मेरे कपड़े हैं या मेरे काम की मेज।

मैंने सुनिश्चित किया है कि सर्किट ठीक है। मैंने इसे दूसरे व्यक्ति द्वारा भी जाँच लिया है, इससे मुझे लगता है कि मैं यहाँ ठीक हूँ।

नोट: ये कुछ चीजें हैं जिन्हें आपको एक तीसरी दुनिया के देश में रखना है! सौभाग्य से, कम से कम इमारत का पृथ्वी कनेक्शन है। इसलिए इसे प्राप्त करना मेरा कमरा बहुत मुश्किल नहीं होना चाहिए।

जवाबों:


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आपके परिणाम अपेक्षित संचालन के साथ असंगत हैं।
या तो आप वह नहीं कर रहे हैं जो आपको लगता है कि आप कर रहे हैं या MOSFET क्षतिग्रस्त है या आपका परीक्षण मीटर बहुत कम "ओम प्रति वोल्ट" है।

Test1 : 1 मीटर से 3V3 के माध्यम से जमीन और + ve जांच के लिए -ve जांच के साथ टेस्ट मीटर कनेक्ट करें।
वोल्टेज पढ़ना क्या है?

यह 3 वी 3 को एक बहुत करीबी सन्निकटन पढ़ना चाहिए।
यदि यह मीटर को दूर नहीं देता है या फेंक देता है और थोड़ा बेहतर है :-)।

कोई भी मीटर जो उस स्थिति में गलत तरीके से पढ़ता है वह बहुत खराब है और केवल उदाहरण के लिए बैटरी परीक्षण के लिए उपयोगी है।

टेस्ट 2 : मीटर को डायोड टेस्ट रेंज पर सेट करें।
उपाय नाली - स्रोत।
Source = + ve के साथ आपको Vf वाले डायोड को सामान्य सिलिकॉन डायोड से अधिक देखना चाहिए।
Drain पर + ve के साथ आपको O / C देखना चाहिए।
मेट्र्र के साथ जीडी और जीएस दोनों तरह से जुड़ा हुआ है, आपको ओपन सर्किट मिलना चाहिए।

टेस्ट 3 सलाह के लिए ओलिन से पूछें।

टेस्ट 4: अपने सर्किट को ध्यान से देखें।
MOSFET पिनआउट रीचेक करें।

एक नया FET आज़माएं।

ध्यान दें कि MOSFETS ESD क्षति से ग्रस्त हैं - विशेष रूप
से उचित इलेक्ट्रोस्टैटिक सावधानियों के साथ डी या एस हैंडल के लिए गेट ।


वापस रिपोर्ट करें।


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मैं सहमत हूं कि "परिणाम अपेक्षित संचालन के साथ असंगत हैं"। हालांकि, गेट रेसिस्टर्स R2 और R3 में असामान्य रूप से उच्च मूल्य हैं। 10 की रेंज में कुछ करने की कोशिश करें ... आर 2 के लिए 100 ओम और आर 3 के लिए 10k से कुछ नीचे। द्विध्रुवी ट्रांसजेंडर्स के विपरीत, जिन्हें आधार कनेक्शन के लिए एक वर्तमान सीमित अवरोधक की आवश्यकता होती है, MOSFET का गेट एक छोटे समाई की तरह कार्य करता है जिसे चार्ज करने या छुट्टी देने की आवश्यकता होती है ताकि आप छोटे अवरोधक मानों के साथ सुरक्षित रहें। उच्च अवरोधक मान बस आपके MOSFET को धीमा कर देगा।
zebonaut

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@ ज़ेबोनौट: यहां तक ​​कि गेट को डिस्चार्ज करने वाले 27 को भी मानव समय में एफईटी को तत्काल बंद कर देना चाहिए।
ओलिन लेट्रोप

2
@Zebonaut - एक MOSFET को ग्राउंडेड गेट रीस्टोर में करंट कैपेसिटी की केवल एक व्हिस्पर की जरूरत होती है ताकि इसे बंद रखा जा सके। चूंकि ब्रेडबोर्ड लीक नहीं हो रहा है, इसलिए जमीन से 10 मीगोहम भी इसे बंद करने के लिए अच्छी तरह से काम करेगा।
रसेल मैकमोहन

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@ रसेल, मुझे लगता है कि आपका टेस्ट 3 एक विशेष रूप से चतुर विचार है।
ओलिन लेट्रोप 16

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@OlinLathrop - बेहतर?
रसेल मैकमोहन

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मैं रसेल से सहमत हूं। मुझे लगता है कि सबसे संभावित उत्तर यह है कि एफईटी पहले क्षतिग्रस्त था। अत्यधिक रिसाव दुरुपयोग के लक्षणों में से एक है। उदाहरण के लिए, क्या आपने कभी उस FET का उपयोग एक प्रेरक भार को स्विच करने के लिए किया था और प्रारंभकर्ता के पास कैच डायोड डालना भूल गए थे? रिमाइबर कि इंडिविजुअल डिवाइसेज में प्रोटेक्शन डियोडेस नहीं होते हैं जैसे पूरे चिप्स होते हैं। यहां तक ​​कि गेट पर थोड़ा स्थिर निर्वहन FET को नुकसान पहुंचा सकता है।


डेटशीट ड्रेन और सोर्स के पार एक डायोड दिखाती है। यह यह भी बताता है कि यह 0.22 ए निरंतर आगे वर्तमान में मूल्यांकन किया गया है। क्या आप उस डायोड के कार्य के बारे में जानकारी दे सकते हैं, यदि यह आगमनात्मक किकबैक के लिए नहीं है?
अब्दुल्लाह कहरामन

3
@abdullah: यह डायोड एफईटी निर्माण का एक अनुत्पादक है, हालांकि यह वास्तव में है और यदि वांछित है तो जानबूझकर उपयोग किया जा सकता है। हालांकि, यह आगमनात्मक किकबैक सुरक्षा प्रदान करने के लिए सर्किट में सही जगह पर नहीं है।
ओलिन लेट्रोप 14

4

यह संभव है कि एफईटी क्षतिग्रस्त हो। अगर आपके पास दूसरा है तो उसे आजमाएं।
साथ ही रसेल ने जो उल्लेख किया है, मैं सुझाव देता हूं कि पुलडाउन अवरोधक की जांच ठीक से जुड़ी हुई है। यदि फाटक यदि तैरता है तो संभव है कि आप इस तरह के व्यवहार को देख सकें।


ओली - यह मेरा परीक्षण 4 :-)
रसेल मैकमोहन

हाँ, मुझे लगता है कि देखा। सोचा कि यह विशेष रूप से रोकनेवाला का उल्लेख करने के लायक था, जैसे कि अगर एफईटी अभी भी जीवित है तो मेरी शर्त इस समस्या के होने पर होगी।
ओली ग्लेसर
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