MOSFET गेट और IGBT गेट को चलाने में क्या अंतर है?

Question

क्या मैं MOSFET, और इसके विपरीत ड्राइविंग के लिए एक उपयुक्त IGBT गेट ड्राइवर का उपयोग कर सकता हूं? इस संगतता के लिए कौन से पैरामीटर (दहलीज, पठार और वोल्टेज रेटिंग, गेट कैपेसिटेंस आदि) चालू होने चाहिए? इन दो अलग-अलग प्रकार के फाटकों को चलाने के बीच आवश्यक अंतर क्या हैं?

Answer 1

कभी कभी...

ब्याज की बात मानते हुए शक्ति MOSFETS है और छोटे संकेत MOSFETS और सिलिकॉन नहीं है (जैसा कि SiC, GaN का विरोध है)

जाँच करने के लिए पहली विशेषता आउटपुट वोल्टेज है। बिजली उपकरणों के लिए उन्हें 4V के आसपास गेट थ्रेसहोल्ड को पूरा करने के लिए 0V से 12-15V (acpl-312T) होना चाहिए (साथ ही मिलर टर्न-ऑन एक चिंता का विषय है) -15 V को ड्राइव करने में सक्षम होने के लिए)। जैसे कि एक MOSFET ड्राइवर एक IGBT ड्राइविंग करता है और समान रूप से MOSFET ड्राइविंग करने वाला IGBT ड्राइवर ठीक होना चाहिए।

अगली विशेषता शिखर वर्तमान है। IGBT की गेट कैपेसिटी काफी अधिक होगी और जैसे ही डिवाइस को संतृप्त करना सुनिश्चित करने के लिए उच्च शिखर धाराओं की आवश्यकता होगी। इस का काफिला MOSFET हो सकता है और तेजी से स्विच किया जा सकता है क्योंकि इस तरह से MOSFET को चलाने की वर्तमान मांग अधिक हो सकती है।

उच्च वर्तमान या उच्चतर स्विचिंग आवृत्ति ड्राइवर शक्ति क्षमता को प्रभावित करती है।

Comments

क्या आप उस निफ्टी ग्राफ के स्रोत को साझा करना चाहेंगे?

— sbell

Answer 2

उपयुक्त IGBT गेट ड्राइवर

और आपके प्रश्न की कुंजी "उपयुक्त" है।

संक्षिप्त उत्तर हां है आप कर सकते हैं।

IGBT एक इनपुट डिवाइस (विकिपीडिया) में एक स्विच के रूप में नियंत्रण इनपुट और एक द्विध्रुवी पावर ट्रांजिस्टर के लिए एक पृथक-गेट FET को जोड़ती है।

आपके प्रश्न में पहले से ही उचित विचार शामिल हैं, "दहलीज, पठार, और वोल्टेज रेटिंग, गेट कैपेसिटेंस, आदि।"

ज्ञात हो कि कुछ आईजीबीटी ड्राइवरों में एक नकारात्मक टर्न-ऑफ वोल्टेज भी शामिल है (तेज स्विचिंग के लिए)

निम्नलिखित, अंतर्राष्ट्रीय आयताकार से लिया गया

अंतर्निहित रूप से न तो MOSFET और न ही IGBT को गेट पर नकारात्मक पूर्वाग्रह की आवश्यकता होती है। टर्नऑफ में गेट वोल्टेज को शून्य पर सेट करना उचित संचालन को सुनिश्चित करता है और वस्तुतः डिवाइस के थ्रेशोल्ड वोल्टेज के सापेक्ष नकारात्मक पूर्वाग्रह प्रदान करता है। द्विध्रुवीय ट्रांजिस्टर के विपरीत नकारात्मक गेट पूर्वाग्रह स्विचिंग गति को काफी प्रभावित नहीं करता है। हालांकि, ऐसी परिस्थितियां हैं जब एक नकारात्मक गेट ड्राइव आवश्यक है:

• अर्धचालक निर्माता डिवाइस के लिए नकारात्मक गेट पूर्वाग्रह निर्दिष्ट करता है
• जब सर्किट में उत्पन्न शोर के कारण गेट वोल्टेज को दहलीज वोल्टेज के नीचे सुरक्षित रूप से नहीं रखा जा सकता है। हालाँकि, आईजीबीटी के लिए संदर्भ दिया जाएगा, निहित जानकारी समान रूप से बिजली MOSFETs पर लागू होती है।