अंतर्निहित कठिनाई यह विश्वास है कि वोल्टेज को मापने के लिए कुछ प्रवाह होना चाहिए। यह गलत है। चूंकि आप एक भौतिकी शिक्षक हैं, इसलिए मैं अन्य भौतिक प्रणालियों के अनुरूप बनाकर समझाता हूँ।
मान लें कि हमारे पास दो सील बर्तन हैं, प्रत्येक में कुछ तरल पदार्थ भरे हुए हैं। हम उनके बीच दबाव के अंतर को मापना चाहते हैं। वोल्टेज की तरह, सापेक्ष दबाव क्षमता में अंतर है।
हम उन्हें एक ट्यूब से जोड़ सकते हैं जो रबड़ डायाफ्राम द्वारा इसके मध्य में अवरुद्ध है। कुछ तरल पदार्थ शुरू में चले जाएंगे, लेकिन केवल तब तक जब तक डायाफ्राम उस पर काम करने वाले तरल पदार्थ की ताकतों को संतुलित करने के लिए नहीं फैलता। हम फिर डायाफ्राम के विक्षेपण से दबाव अंतर का अनुमान लगा सकते हैं।
यह विद्युत सादृश्य में अनंत प्रतिरोध की परिभाषा को पूरा करता है, क्योंकि एक बार जब यह प्रणाली संतुलन में आ जाती है, तो कोई भी प्रवाह नहीं होता है (डायाफ्राम के माध्यम से उपेक्षा प्रसार, जिसे मनमाने ढंग से छोटा किया जा सकता है और डिवाइस के संचालन के लिए आवश्यक नहीं है)।
हालांकि, यह अनंत प्रतिबाधा के रूप में योग्य नहीं है , क्योंकि इसमें गैर-शून्य समाई है । वास्तव में, यह उपकरण बिल बीटी के संधारित्र का पसंदीदा मानसिक मॉडल है :
वास्तव में, ऐसे उपकरण हैं जो वोल्टेज को मापते हैं जो अनुरूप काम करते हैं। अधिकांश इलेक्ट्रोस्कोप इसी श्रेणी में आते हैं। उदाहरण के लिए, पिथ बॉल इलेक्ट्रोस्कोप:
इन उपकरणों में से कई बहुत पुराने हैं और काम करने के लिए बहुत अधिक वोल्टेज की आवश्यकता होती है। हालाँकि, आधुनिक MOSFETs अनिवार्य रूप से एक सूक्ष्म स्तर पर एक ही चीज़ हैं कि उनका इनपुट संधारित्र जैसा दिखता है। एक गेंद को विक्षेपित करने के बजाय, वोल्टेज अर्धचालक की चालकता को नियंत्रित करता है:
MOSFET गेट (G) और बल्क (B) के बीच वोल्टेज के एक फ़ंक्शन के रूप में स्रोत (S) और ड्रेन (D) के बीच एक चैनल की चालकता को बदलकर काम करता है। गेट को ट्रांजिस्टर के बाकी हिस्सों से अलग किया जाता है, आमतौर पर सिलिकॉन डाइऑक्साइड की एक पतली परत (ऊपर तस्वीर में सफेद), एक बहुत अच्छा इन्सुलेटर, और डायाफ्राम डिवाइस की तरह पहले, जो भी बहुत छोटा रिसाव होता है वह ऑपरेशन के लिए प्रासंगिक नहीं है डिवाइस का। हम तब चैनल की चालकता को माप सकते हैं, और इस चैनल में बहने वाली वर्तमान को एक अलग बैटरी द्वारा आपूर्ति की जा सकती है न कि परीक्षण के तहत डिवाइस। इस प्रकार, हम एक वोल्टेज को बेहद उच्च (सैद्धांतिक रूप से अनंत) इनपुट प्रतिरोध के साथ माप सकते हैं।
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